개발사례

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형상계측

열팽창계수 측정 (CTE measurement)

작성자 관리자 날짜 2023-10-04 15:26:08 조회수 250
온도변화에 따른 substrate의 열팽창계수 측정
적 용 사 례

계측대상

   - 6" ~ 12" wafer

계측반복정밀도

   - σ < 0.05µm

온도조절 영역

   - -40 ~ 200℃ (wafer chuck 상면 기준)

온도 균일도

   - ±1℃ @100℃ (wafer chuck 상면 기준)

계측방식

   - Image Processing