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계측대상
- 6" ~ 12" wafer
계측반복정밀도
- σ < 0.05µm
온도조절 영역
- -40 ~ 200℃ (wafer chuck 상면 기준)
온도 균일도
- ±1℃ @100℃ (wafer chuck 상면 기준)
계측방식
- Image Processing